Напечатан транзистор на основе галогенидных перовскитов
Корейские ученые из Пхоханского университета науки и технологии и Университета Сонгюнгван напечатали транзистор на основе галогенидного перовскита. Это устройство может найти применение в высокотехнологичных дисплеях и нательных девайсах. Исследование опубликовано в журнале Nature Electronics.
В настоящее время печатать можно не только книги и документы, но и части современных высокотехнологичных устройств. Ранее ученые уже показывали, что ряд высокопроизводительных компонентов «умных» девайсов можно создавать с помощью техники печати.
Теперь корейские ученые напечатали транзистор. В основе этого устройства всегда лежит полупроводник. Ранее исследователи показывали, что перовскиты объединяют свойства электронных и дырочных полупроводников (n-типа и p-типа соответственно). Ранее активно изучались электронные полупроводники, в то время как дырочные собрать не удавалось. При попытке создавать дырочные полупроводники из перовскитов ученые наблюдали высокие значения электрической проводимости, но другие электрические характеристики оставляли желать лучшего. Чтобы этого избежать, для получения дырочного полупроводника исследователи решили применить галогенидный перовскит — трииодид цезия-олова (CsSnI3). На основе этого полупроводникового материала, который использовался в виде раствора, авторы напечатали транзистор. У этого устройства наблюдалась высокая подвижность дырок — более 50 см2/В∙с. Отношение токов было более 108. Электрические характеристики у полученного устройства были выше, чем у созданных на основе перовскитов.
Ученые отметили, что метод печати эффективен с экономической точки зрения. Благодаря этому устройства на основе перовскитов в будущем могут получить широкое коммерческое применение.
«Новый полупроводниковый материал и транзистор могут быть использованы в качестве логических схем в высокотехнологичных дисплеях, а также в нательных электронных девайсах. Они могут найти применение и в многоуровневых электрических схемах и в оптоэлектронных устройствах, если чередовать галогенидные перовскиты с кремниевыми», — рассказал профессор Ен Ян Но из Пхоханского университета науки и технологии.